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DIM 800FSM17-A000

IGBT 1700V / 800A Single

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DIM 800FSM17-A000 Dynex Semiconductor
DIM 800FSM17-A000 Dynex Semiconductor
DIM 800FSM17-A000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:136229
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 843,211256 €
Prix hors TVA : 696,868807 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM800FSM17-A000
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 696,868807 €843,211256 €
3 + 679,429251 €822,109394 €
6 + 644,589774 €779,953627 €
12 + 592,310741 €716,695997 €
IGBT 1700V / 800A Single

Informations de base :

Marquage fabricantDIM800FSM17-A000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single-E2*(T+D) 
Construction:2*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MODUL-F 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:1262 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

If (AV) per pkg.1600 [A]
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)800 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)120000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)6940  [W]
tr (Turn-on / rise time)250 [ns]
tf (turn-off=fall time)170 [ns]
Qg (Total Gate Charge)9000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance60000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:130x140x38 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)0.018 [°C/W]
L - Longueur 130 [mm]
W - Largeur 140 [mm]
H - Hauteur 38 [mm]

Alternatives et remplacements

Alternative 1:106157 - FZ800R16KF4 (INF) 
Produits de substitution 1:FZ800R17KF4 

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