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DIM 800NSM33-A000

IGBT Module 3300V/800A Single, AlSiC

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DIM 800NSM33-A000 Dynex Semiconductor
DIM 800NSM33-A000 Dynex Semiconductor
DIM 800NSM33-A000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:136230
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 1 470,924171 €
Prix hors TVA : 1 215,639810 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM800NSM33-A000
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 1 215,639810 €1 470,924170 €
3 + 1 185,268562 €1 434,174960 €
6 + 1 124,486572 €1 360,628752 €
12 + 1 033,293839 €1 250,285545 €
IGBT Module 3300V/800A Single, AlSiC

Informations de base :

Marquage fabricantDIM800NSM33-A000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single-E2*(T+D) 
Construction:2*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MODUL-N 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:1184.6 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

If (AV) per pkg.1600 [A]
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)800 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)320000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)9600  [W]
tr (Turn-on / rise time)275 [ns]
tf (turn-off=fall time)270 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2400 [nC]
Cin/CL Load Capacitance144000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:140x130x38 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)0.012 [°C/W]
L - Longueur 140 [mm]
W - Largeur 130 [mm]
H - Hauteur 38 [mm]

Alternatives et remplacements

Alternative 1:- DIM 800NSM33-F000 &DY () 

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