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DIM1200FSM12-A000

IGBT 1200V / 1200A Single

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DIM1200FSM12-A000 Dynex Semiconductor
DIM1200FSM12-A000 Dynex Semiconductor
DIM1200FSM12-A000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:136233
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 952,459593 €
Prix hors TVA : 787,156688 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM1200FSM12-A000
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 787,156688 €952,459592 €
3 + 767,476783 €928,646907 €
6 + 728,116973 €881,021537 €
12 + 669,077257 €809,583481 €
IGBT 1200V / 1200A Single

Informations de base :

Marquage fabricantDIM1200FSM12-A000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single-E2*(T+D) 
Construction:2*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MODUL-F 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:1262 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)400000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)10400  [W]
tr (Turn-on / rise time)200 [ns]
tf (turn-off=fall time)180 [ns]
Qg (Total Gate Charge)12000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance135000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:130x140x38 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)0.012 [°C/W]
L - Longueur 130 [mm]
W - Largeur 140 [mm]
H - Hauteur 38 [mm]

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