Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960000mW 26-Pin ECONO3-4 Tray
Informations de base :
Marquage fabricant | F4-150R12KS4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuration: | Bridge 1f |
Construction: | 4*(IGBT+D) |
Nombre de circuits | 4 ks |
Type de cas: | Modul |
Type de matériel: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 331.1 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 10 |
Paramètres électro-physiques:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 180 [A] |
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C) | 150 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.85 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 3.2 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 4300 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 960 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 50 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1600 [nC] |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.13 [°C/W] |