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IRF7353D2

30V 6.5A/25°C 5.2A/70°C 29mO +20 *L , Rthja=62.5°C/W SO8

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IRF7353D2 Infineon Technologies
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ID Code:129794
Fabricant:Infineon Technologies
Prix: sur demande
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: IRF7353D2PBF
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
30V 6.5A/25°C 5.2A/70°C 29mO +20 *L , Rthja=62.5°C/W SO8

Informations de base :

Marquage fabricantIRF7353D2PBF 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET+Diode (FETKY) 
Configuration:Single 1*(T-BD+Separate D) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:1*FET-BD+1*D 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :SO- 8 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:0.7 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):95 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 30 [V]
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)6.5 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)5.2 [A]
UF (maximum forward voltage)0.57 [VDC]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)5000 [V/µs]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)2 [W]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)23 [mΩ]
Qg (Total Gate Charge)22 [nC]
Cin/CL Load Capacitance650 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:4.90*3.90*1.70 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthja (ambient)62.5 [°C/W]
RM - Pitch pins1.27 [mm]
RM1 - Espacement de lignes [mm]
Number of Pins
L - Longueur 4.9 [mm]
W - Largeur 3.9 [mm]
H - Hauteur 1.7 [mm]
PIN dimensions0,41x0,25 [mm]
Lv - Length of outlets1.1 [mm]

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