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DIM1500ESM33-TL000

IGBT Module 3300V/1500A Single, AlSiC ,

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DIM1500ESM33-TL000 Dynex Semiconductor
DIM1500ESM33-TL000 Dynex Semiconductor
DIM1500ESM33-TL000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:161217
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 1 421,702212 €
Prix hors TVA : 1 174,960506 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM1500ESM33-TL000
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 1 174,960506 €1 421,702212 €
3 + 1 145,576619 €1 386,147709 €
6 + 1 086,848341 €1 315,086493 €
12 + 998,736177 €1 208,470774 €
IGBT Module 3300V/1500A Single, AlSiC, Low Conduction Loss Range

Informations de base :

Marquage fabricantDIM1500ESM33-TL000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single-E3*(T+D) 
Construction:3*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 3 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MODUL-E 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:1900 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1500 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1500 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)[V]
I2t (TC/TA=25°C)720000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)15600  [W]
tr (Turn-on / rise time)460 [ns]
tf (turn-off=fall time)610 [ns]
Qg (Total Gate Charge)25000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance260000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:190x140x38 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)0.008 [°C/W]
L - Longueur 190 [mm]
W - Largeur 140 [mm]
H - Hauteur 38 [mm]

Alternatives et remplacements

Produits de substitution 1:FZ1500R33HE3 
Produits de substitution 2:CM1500HC-66R 
Produits de substitution 4:MBN1500E33E2 

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