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DIM 250PKM33-TL000

IGBT Chopper Module 3300V/250A, AlSiC ,

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DIM 250PKM33-TL000 Dynex Semiconductor
DIM 250PKM33-TL000 Dynex Semiconductor
DIM 250PKM33-TL000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:161282
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 482,661927 €
Prix hors TVA : 398,894155 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM250PKM33-TL000
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 398,894155 €482,661928 €
3 + 388,902054 €470,571485 €
6 + 368,957346 €446,438389 €
12 + 339,060032 €410,262639 €
IGBT Chopper Module 3300V/250A, AlSiC ,

Informations de base :

Marquage fabricantDIM250PKM33-TL000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:High side 1*(Buck Chopper) 
Construction:1*(IGBT+D)+D 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MODUL-P 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:700 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)250 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)250 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)[V]
I2t (TC/TA=25°C)20000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2600  [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
tr (Turn-on / rise time)430 [ns]
tf (turn-off=fall time)610 [ns]
Qg (Total Gate Charge)5000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance45000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:140x73x38 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)0.048 [°C/W]
L - Longueur 140 [mm]
W - Largeur 73 [mm]
H - Hauteur 38 [mm]

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