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DIM 500GDM33-TL000

IGBT Module 3300V/500A , Dual , AlSiC ,

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DIM 500GDM33-TL000 Dynex Semiconductor
DIM 500GDM33-TL000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:161278
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 932,376605 €
Prix hors TVA : 770,559178 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM500GDM33-TL000
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 770,559178 €932,376605 €
3 + 751,274452 €909,042087 €
6 + 712,744517 €862,420866 €
12 + 654,969374 €792,512943 €
IGBT Module 3300V/500A , Dual , AlSiC ,

Informations de base :

Marquage fabricantDIM500GDM33-TL000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single 2*(T+D) 
Construction:2*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MODUL-G 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:1250 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)500 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)500 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)[V]
I2t (TC/TA=25°C)80000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)5200  [W]
Esw (125°C)2400 [mJ]
tr (Turn-on / rise time)430 [ns]
tf (turn-off=fall time)610 [ns]
Qg (Total Gate Charge)9000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance90000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:130x160x38 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)0.024 [°C/W]
Rthja (ambient)[°C/W]
L - Longueur 130 [mm]
W - Largeur 160 [mm]
H - Hauteur 38 [mm]

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