IGBT 1200V
ID Code: | 168032 |
Fabricant: | Infineon Technologies |
Prix avec TVA : | 189,868807 € |
Prix hors TVA : | 156,916369 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilité: | sur demande |
Stock total: | 0 pcs |
Marquage fabricant: | BSM50GD120DN2 |
Unité:: | pcs |
Aperçu des remises sur volume | Quantité (pcs) | Prix hors TVA | Prix avec TVA | |
1 + | 156,916369 € | 189,868806 € | ||
3 + | 154,498613 € | 186,943322 € | ||
5 + | 153,309552 € | 185,504558 € | ||
10 + | 152,120491 € | 184,065794 € |
Marquage fabricant | BSM50GD120DN2 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuration: | Bridge 3f |
Construction: | 6*(IGBT+D) |
Nombre de circuits | 6 ks |
Type de cas: | Modul |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Unité: | pcs |
Poids: | 233.2 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 72 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 50 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 350 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 200 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 56 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 70 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 140 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 3300 pF |
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.35 [°C/W] |