Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.11KA
Informations de base :
Marquage fabricant | SEMiX603GB12E4p |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construction: | 2*(IGBT+D) |
Nombre de circuits | 2 ks |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | SEMiX-3p |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 450 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 6 |
Paramètres électro-physiques:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1100 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 853 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.08 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 85 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 145 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 3450 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 37500 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 150x62x21 |
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.025 [°C/W] |
L - Longueur | 150 [mm] |
W - Largeur | 62 [mm] |
H - Hauteur | 21 [mm] |
Alternatives et remplacements
Produits de substitution 1: | FF600R12ME4 |