MOSFET 650V / 11A, 0,38 ohm, TO-220F
Informations de base :
Marquage fabricant | DAMJ11N650F |
Type de composant: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configuration: | Single 1*(T-BD) |
Spécifications: | Enhancement Mode |
Construction: | 1*FET-BD |
Nombre de circuits | 1 ks |
Type de cas: | THT |
Cas [inch] : | TO-220F |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 2.4 [g] |
Type d’emballage: | TUBE |
Petit paquet (nombre d'unités): | 50 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 650 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 6.7 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 1.3 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 31.2 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 380 [mΩ] |
tr (Turn-on / rise time) | 28 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 33 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 13 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 690 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | TO-220 |
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 4 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.54 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Longueur | 15.8 [mm] |
W - Largeur | 10.16 [mm] |
H - Hauteur | 4.7 [mm] |
PIN dimensions | 0,6 [mm] |
Lv - Length of outlets | 9.45 [mm] |