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APT100GT120JRDQ4

Trans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570000mW 4-Pin SOT-227 Tube

pcs
ID Code:187810
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 92,36 €
Prix hors TVA : 76,33 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: APT100GT120JRDQ4
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
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QuantitéPrix hors TVAPrix avec TVA
1 + 76,33 €92,36 €
5 + 73,15 €88,51 €
10 + 69,97 €84,66 €
25 + 66,79 €80,81 €


Informations de base :

Marquage fabricantAPT100GT120JRDQ4 
Type de composant:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single 1*(T+D) 
Construction:1*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 1 ks
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
Type of casing:MODUL 
Cas:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:36 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):30 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)123 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)123 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)67 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)3.2 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)570  [W]
tr (Turn-on / rise time)100 [ns]
tf (turn-off=fall time)36 [ns]
Qg (Total Gate Charge)685 [nC]
Cin/CL Load Capacitance6700 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.22 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.56 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 12.7 [mm]
Number of Pins
D - Diamètre extérieur 4.1 [mm]
W - Largeur 25.3 [mm]
L - Longueur 38.1 [mm]
H - Hauteur 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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