N-channel MOSFET SOT-227B , 0,007 Ohm, 100V / 225A
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
Informations de base :
Marquage fabricant | APT10M07JVFR |
Délai de livraison en usine | 42wk-49wk [wk] |
Type de composant: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configuration: | Single 1*(T-BD) |
Spécifications: | Enhancement Mode |
Construction: | 1*FET-BD |
Nombre de circuits | 1 ks |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | SOT-227 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
Material Base | No Info |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 36 [g] |
Type d’emballage: | TUBE |
Petit paquet (nombre d'unités): | 1 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 100 [V] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 700 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 7 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 250 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 120 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 40 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1050 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 21600 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.18 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 15 [mm] |
RM1 - Espacement de lignes | 12.7 [mm] |
D - Diamètre extérieur | 4.1 [mm] |
L - Longueur | 38.1 [mm] |
W - Largeur | 25.3 [mm] |
H - Hauteur | 12 [mm] |