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APT30M19JVR

Trans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227 Tube

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APT30M19JVR Microchip Technology
APT30M19JVR Microchip Technology
APT30M19JVR Microchip Technology
APT30M19JVR Microchip Technology
pcs
ID Code:188513
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 106,002817 €
Prix hors TVA : 87,605634 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: APT30M19JVR
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 87,605634 €106,002817 €
5 + 83,955093 €101,585662 €
10 + 80,304552 €97,168508 €
25 + 76,654419 €92,751847 €


Informations de base :

Marquage fabricantAPT30M19JVR 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configuration:Single 1*(T-BD) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:1*FET-BD 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SOT-227 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:36 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 300 [V]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)700  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)19 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)620 [ns]
tr (Turn-on / rise time)33 [ns]
tf (turn-off=fall time)10 [ns]
Qg (Total Gate Charge)650 [nC]
Cin/CL Load Capacitance18000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:SOT-227 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)0.18 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 12.7 [mm]
Number of Pins
D - Diamètre extérieur 4.1 [mm]
L - Longueur 38.1 [mm]
W - Largeur 25.3 [mm]
H - Hauteur 12 [mm]

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