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APT40GF120JRDQ2

Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 347000mW

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APT40GF120JRDQ2 Microchip Technology
APT40GF120JRDQ2 Microchip Technology
APT40GF120JRDQ2 Microchip Technology
APT40GF120JRDQ2 Microchip Technology
pcs
ID Code:187839
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 64,441944 €
Prix hors TVA : 53,257805 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: APT40GF120JRDQ2
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 53,257805 €64,441944 €
5 + 51,038945 €61,757124 €
10 + 48,819655 €59,071782 €
25 + 46,600795 €56,386962 €


Informations de base :

Marquage fabricantAPT40GF120JRDQ2 
Type de composant:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single 1*(T+D) 
Construction:1*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 1 ks
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
Type of casing:MODUL 
Cas:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:36 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)80 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)80 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)42 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)347  [W]
tr (Turn-on / rise time)43 [ns]
tf (turn-off=fall time)70 [ns]
Qg (Total Gate Charge)340 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3460 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.36 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.1 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 12.7 [mm]
Number of Pins
D - Diamètre extérieur 4.1 [mm]
W - Largeur 25.3 [mm]
L - Longueur 38.1 [mm]
H - Hauteur 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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