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APT45GP120B2DQ2G

PT IGBT, 1200V, 113A, 625W, T-MAX

pcs
ID Code:187799
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 29,0557 €
Prix hors TVA : 24,0130 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: APT45GP120B2DQ2G
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Stockage externe (délai de livraison 5÷10 jours): 0 pcs
Unité:: pcs
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QuantitéPrix hors TVAPrix avec TVA
1 + 24,0130 €29,0557 €
5 + 23,0130 €27,8457 €
10 + 22,0126 €26,6352 €
25 + 21,0118 €25,4242 €


Informations de base :

Marquage fabricantAPT45GP120B2DQ2G 
KategorieIGBT Full Silicon 
Type de composant:IGBT-PT 
Configuration:single 1*(T+D) 
Construction:1*IGBT+1*D 
Type de matériel:!_si-silicon_! 
RoHSOui 
REACHNon 
Type of casing:THT 
Cas:!_to-247ad_3_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:6.1 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):30 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)113 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)113 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)54 [A]
UCE (sat) (@25°C)3.3 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)625  [W]
tr (Turn-on / rise time)29 [ns]
tf (turn-off=fall time)38 [ns]
Qg (Total Gate Charge)185 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3995 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.2 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.61 [°C/W]
RM - Pitch pins5.45 [mm]
Number of Pins
D - Diamètre extérieur 3.65 [mm]
W - Largeur 16 [mm]
L - Longueur 21 [mm]
H - Hauteur [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-247 [mm]
PIN dimensions1,4 [mm]
Lv - Length of outlets19.8 [mm]

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