IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Informations de base :
Marquage fabricant | APT50GN60BDQ2G |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuration: | single 1*(T+D) |
Construction: | 1*(IGBT+D) |
Nombre de circuits | 1 ks |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
Type of casing: | THT |
Cas: | !_to-247ad_3_! |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 7.2 [g] |
Type d’emballage: | TUBE |
Petit paquet (nombre d'unités): | 1 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 600 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 107 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 107 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 64 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.45 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 366 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 22 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 25 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 100 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 325 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 3200 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.41 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.67 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 5.45 [mm] |
Number of Pins | 3 |
D - Diamètre extérieur | 3.65 [mm] |
W - Largeur | 16 [mm] |
L - Longueur | 21 [mm] |
H - Hauteur | 5 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | TO-247 [mm] |
PIN dimensions | 1,4 [mm] |
Lv - Length of outlets | 19.8 [mm] |
Alternatives et remplacements
Produits de substitution 1: | IXXH75N60B3D1 |
Produits de substitution 2: | IXXH50N60B3D1 |