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APT53F80J

Trans MOSFET N-CH Si 800V 57A 4-Pin SOT-227 Tube

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APT53F80J Microchip Technology
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APT53F80J Microchip Technology
pcs
ID Code:188898
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 96,274017 €
Prix hors TVA : 79,565303 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: APT53F80J
Délai de livraison en usine: 42wk-49wk
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 79,565303 €96,274017 €
5 + 76,250543 €92,263157 €
10 + 72,934993 €88,251342 €
25 + 69,619838 €84,240004 €


Informations de base :

Marquage fabricantAPT53F80J 
Délai de livraison en usine42wk-49wk [wk]
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configuration:Single 1*(T-BD) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:1*FET-BD 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SOT-227 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:36 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 800 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)36 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)960  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)110 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)470 [ns]
tr (Turn-on / rise time)145 [ns]
tf (turn-off=fall time)125 [ns]
Qg (Total Gate Charge)570 [nC]
Cin/CL Load Capacitance17550 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)0.13 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 12.7 [mm]
D - Diamètre extérieur 4.1 [mm]
L - Longueur 38.1 [mm]
W - Largeur 25.3 [mm]
H - Hauteur 12 [mm]

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