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APT58M50J

Trans MOSFET N-CH Si 500V 58A 4-Pin SOT-227 Tube

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APT58M50J Microchip Technology
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APT58M50J Microchip Technology
pcs
ID Code:188796
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 44,799407 €
Prix hors TVA : 37,024303 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: APT58M50J
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Délai de livraison en usine: 42wk-49wk
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 37,024303 €44,799407 €
5 + 35,480340 €42,931211 €
10 + 33,937562 €41,064450 €
25 + 32,395179 €39,198167 €


Informations de base :

Marquage fabricantAPT58M50J 
Délai de livraison en usine42wk-49wk [wk]
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configuration:Single 1*(T-BD) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:1*FET-BD 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SOT-227 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:36 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 500 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)37 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)540  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)65 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)720 [ns]
tr (Turn-on / rise time)70 [ns]
tf (turn-off=fall time)50 [ns]
Qg (Total Gate Charge)340 [nC]
Cin/CL Load Capacitance13500 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)0.23 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 12.7 [mm]
D - Diamètre extérieur 4.1 [mm]
L - Longueur 38.1 [mm]
W - Largeur 25.3 [mm]
H - Hauteur 12 [mm]

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