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APT75GT120JRDQ3

Trans IGBT Module N-CH 1200V 97A 480000mW 4-Pin SOT-227 Tube

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APT75GT120JRDQ3 Microchip Technology
APT75GT120JRDQ3 Microchip Technology
APT75GT120JRDQ3 Microchip Technology
APT75GT120JRDQ3 Microchip Technology
pcs
ID Code:187871
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 64,138361 €
Prix hors TVA : 53,006910 €
VAT:21 %
Disponibilité:En stock
Stock total:16 pcs
Marquage fabricant: APT75GT120JRDQ3
Entrepôt central Zdice: 16 pcs
Délai de livraison en usine: 42wk-49wk
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 53,006910 €64,138361 €
5 + 50,797236 €61,464656 €
10 + 48,588351 €58,791905 €
25 + 46,379862 €56,119633 €


Informations de base :

Marquage fabricantAPT75GT120JRDQ3 
Délai de livraison en usine42wk-49wk [wk]
Type de composant:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single 1*(T+D) 
Construction:1*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SOT-227 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:36 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)97 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)42 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)3.2 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)480  [W]
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)500 [nC]
Cin/CL Load Capacitance5100 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.26 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.56 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 12.7 [mm]
D - Diamètre extérieur 4.1 [mm]
L - Longueur 38.1 [mm]
W - Largeur 25.3 [mm]
H - Hauteur 12 [mm]

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