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APTGTQ100H65T3G

IGBT 650V

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APTGTQ100H65T3G Microchip Technology
APTGTQ100H65T3G Microchip Technology
APTGTQ100H65T3G Microchip Technology
APTGTQ100H65T3G Microchip Technology
pcs
ID Code:185771
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 166,631823 €
Prix hors TVA : 137,712250 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: APTGTQ100H65T3G
Délai de livraison en usine: 42wk-49wk
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 137,712250 €166,631823 €
5 + 131,975460 €159,690307 €
10 + 126,237087 €152,746875 €
25 + 120,499109 €145,803922 €
IGBT 650V H-Bridge • High speed IGBT 5

Informations de base :

Marquage fabricantAPTGTQ100H65T3G 
Délai de livraison en usine42wk-49wk [wk]
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:Bridge 1f 
Construction:4*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 4 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SP3F 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:125 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)60 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)250  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)46 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf (turn-off=fall time)18 [ns]
Qg (Total Gate Charge)240 [nC]
Cin/CL Load Capacitance6000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:73x43x12 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.6 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.7 [°C/W]
RM - Pitch pins3.81 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 38 [mm]
L - Longueur 73.4 [mm]
W - Largeur 42.5 [mm]
H - Hauteur 12 [mm]
PIN dimensions1,35 [mm]
Lv - Length of outlets5.3 [mm]

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