IGBT 650V H-Bridge • High speed IGBT 5
Informations de base :
Marquage fabricant | APTGTQ100H65T3G |
Délai de livraison en usine | 42wk-49wk [wk] |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuration: | Bridge 1f |
Construction: | 4*(IGBT+D) |
Nombre de circuits | 4 ks |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | SP3F |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 125 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 1 |
Paramètres électro-physiques:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 100 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 60 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 250 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 46 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 15 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 18 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 240 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 6000 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 73x43x12 |
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.6 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.7 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 3.81 [mm] |
RM1 - Espacement de lignes | 38 [mm] |
L - Longueur | 73.4 [mm] |
W - Largeur | 42.5 [mm] |
H - Hauteur | 12 [mm] |
PIN dimensions | 1,35 [mm] |
Lv - Length of outlets | 5.3 [mm] |