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APTGTQ200A65T3G

IGBT 650V

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APTGTQ200A65T3G Microchip Technology
APTGTQ200A65T3G Microchip Technology
APTGTQ200A65T3G Microchip Technology
pcs
ID Code:185776
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 185,9240 €
Prix hors TVA : 153,6562 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: APTGTQ200A65T3G
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
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QuantitéPrix hors TVAPrix avec TVA
1 + 153,6562 €185,9240 €
5 + 147,2525 €178,1755 €
10 + 140,8506 €170,4292 €
25 + 134,4482 €162,6823 €
IGBT 650V Half-Bridge • High speed IGBT 5 up 100kHz

Informations de base :

Marquage fabricantAPTGTQ200A65T3G 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Construction:2*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 2 ks
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
Type of casing:MODUL 
Cas:!_sp3f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:125 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):10 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 650 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)120 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)483  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)46 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf (turn-off=fall time)18 [ns]
Qg (Total Gate Charge)480 [nC]
Cin/CL Load Capacitance12000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.31 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.35 [°C/W]
RM - Pitch pins3.81 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 38 [mm]
W - Largeur 42.5 [mm]
L - Longueur 73.4 [mm]
H - Hauteur 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
PIN dimensions1,35 [mm]
Lv - Length of outlets5.3 [mm]

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