Inteligent Power Module - IGBT 1200V - Half Bridge, Trench + Field Stop IGBT4 Technology with drivers and a protection
Informations de base :
Marquage fabricant | APTLGL325A1208G |
Délai de livraison en usine | 42wk-49wk [wk] |
Kategorie | IGBT IPM-Inteligent |
Configuration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construction: | 2*(IGBT+D) |
Nombre de circuits | 2 ks |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | LP8 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 570 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 1 |
Paramètres électro-physiques:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 420 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 325 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1500 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 155 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 70 [ns] |
Cin/CL Load Capacitance | 17600 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 110x84x27 |
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.1 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.17 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.54 [mm] |
L - Longueur | 110.6 [mm] |
W - Largeur | 84.4 [mm] |
H - Hauteur | 27.2 [mm] |
PIN dimensions | 0,64 [mm] |
Lv - Length of outlets | 11 [mm] |