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APTM120A15FG

MOSFET Half Bridge1200V/60A

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APTM120A15FG Microchip Technology
APTM120A15FG Microchip Technology
APTM120A15FG Microchip Technology
pcs
ID Code:185810
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 581,3419 €
Prix hors TVA : 480,4479 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: APTM120A15FG
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
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QuantitéPrix hors TVAPrix avec TVA
1 + 480,4479 €581,3419 €
5 + 460,4301 €557,1204 €
10 + 440,4114 €532,8978 €
25 + 420,3928 €508,6752 €


Informations de base :

Marquage fabricantAPTM120A15FG 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configuration:Half Bridge 
Spécifications:!_enhancement mode_! 
Construction:2*FET-BD 
Nombre de circuits 2 ks
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
Type of casing:MODUL 
Cas:!_sp6-3_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:330 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)60 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)60 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)45 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1250  [W]
Input Logic Level (Ugs level)30V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)175 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)320 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf (turn-off=fall time)45 [ns]
f max50 [kHz]
Qg (Total Gate Charge)748 [nC]
Cin/CL Load Capacitance20600 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)0.1 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.08 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.14 [°C/W]
RM - Pitch pins[mm]
W - Largeur 62 [mm]
L - Longueur 108 [mm]
H - Hauteur 17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x17 [mm]
PIN dimensions2,8 [mm]
Lv - Length of outlets[mm]

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