Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
Informations de base :
Marquage fabricant | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
Type de composant: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Configuration: | Single 1*(T-BD) |
Spécifications: | Enhancement Mode |
Construction: | 1*FET-BD |
Nombre de circuits | 1 ks |
Type de cas: | SMD |
Cas [inch] : | TSDSON-8 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 0.03 [g] |
Type d’emballage: | K18A |
Petit paquet (nombre d'unités): | 5000 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -30 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | -40 [A] |
Input Logic Level (Ugs level) | 15V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 13.4 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 39 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 46 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 8 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 43.2 [nC] |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 1.8 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 60 [°C/W] |
Number of Pins | 8 |