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BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

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BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
pcs
ID Code:186258
Fabricant:Infineon Technologies
Prix avec TVA : 0,693341 €
Prix hors TVA : 0,573009 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: BSZ086P03NS3EGATMA1
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 0,573009 €0,693341 €
25 + 0,474215 €0,573800 €
100 + 0,446552 €0,540328 €
1000 + 0,422841 €0,511638 €
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

Informations de base :

Marquage fabricantBSZ086P03NS3EGATMA1 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configuration:Single 1*(T-BD) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:1*FET-BD 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :TSDSON-8 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:0.03 [g]
Type d’emballage:K18A 
Petit paquet (nombre d'unités):5000 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -30 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)-40 [A]
Input Logic Level (Ugs level)15V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)13.4 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)39 [ns]
tr (Turn-on / rise time)46 [ns]
tf (turn-off=fall time)[ns]
Qg (Total Gate Charge)43.2 [nC]

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)1.8 [°C/W]
Rthja (ambient)60 [°C/W]
Number of Pins

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