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C2M0080170P

1700V Mosfet SiC

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C2M0080170P Cree
C2M0080170P Cree
pcs
ID Code:185623
Fabricant:Cree
Prix avec TVA : 54,549377 €
Prix hors TVA : 45,082129 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: C2M0080170P
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Délai de livraison en usine: Obsolete
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 45,082129 €54,549376 €
5 + 40,213734 €48,658618 €
13 + 38,986741 €47,173957 €
25 + 36,572333 €44,252523 €
1700V Mosfet SiC

Informations de base :

Marquage fabricantC2M0080170P 
Délai de livraison en usineObsolete [wk]
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Configuration:single 1*(T-BD) 
Spécifications:SiC N-Channel MOSFET 
Construction:1*FET-BD 
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :TO-247/4LHP 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:[g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):25 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)27 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)277  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)36 [ns]
tr (Turn-on / rise time)[ns]
tf (turn-off=fall time)18 [ns]
Qg (Total Gate Charge)120 [nC]
Cin/CL Load Capacitance200 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)1.8 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.45 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]
Number of Pins

Alternatives et remplacements

Alternative 1:185667 - MSC035SMA170B4 (MCH) 
Produits de substitution 1:MSC035SMA170B4 
Produits de substitution 2:C2M0045170P 

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