Full SiC MOSFET 1200V / 25A Half Bridge
Informations de base :
Marquage fabricant | DACMH40N1200 |
Type de composant: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Configuration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Spécifications: | SiC Enhancement Mode MOSF |
Construction: | 2*FET-BD |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | HB-9434 |
Type de matériel: | SiC Full |
Material Base | No Info |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 185 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 12 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 25 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3000 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 208 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
tr (Turn-on / rise time) | 24 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 9 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 129 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1800 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 94x34x30 |
Tmin (température minimale de travail) | -50 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.26 [°C/W] |
L - Longueur | 94 [mm] |
W - Largeur | 34 [mm] |
H - Hauteur | 30 [mm] |