IGBT 1200V 200A 1300W
ID Code: | 183094 |
Fabricante: | Daco Semiconductor |
Precio con IVA : | 110,100397 € |
Precio sin IVA : | 90,992063 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilidad: | a petición |
Stock total: | 0 pcs |
Fabricante de la marca: | DAGNH2001200 |
Unidad:: | pcs |
Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA | |
1 + | 90,992063 € | 110,100396 € | ||
4 + | 86,785714 € | 105,010714 € | ||
8 + | 83,730159 € | 101,313492 € | ||
64 + | 79,166667 € | 95,791667 € |
Fabricante de la marca | DAGNH2001200 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construcción: | 2*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | HW-9434 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Unidad: | pcs |
Peso: | 167.7 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 64 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3600 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
Ifsm | 400 A |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1300 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 180 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 184 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 58 [ns] |
Cin/CL Load Capacitance | 36000 pF |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.1 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.16 [°C/W] |
L - Longitud | 94 [mm] |
W - Ancho | 34 [mm] |
H - Altura | 30 [mm] |
I+case 34x 94_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-2, INT-A-PAK and size 34x94mm ID: 181711 Fabricante no.: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2
| Stock total: 177 Fabricante: SEMIC EU |