DAMJ11N650D
MOSFET 650V / 11A, 0,38 ohm, TO-252
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| ID Code: | 179017 |
| Fabricante: | Daco Semiconductor |
| Precio: | a petición |
| VAT: | 21 % |
| Disponibilidad: | a petición |
| Stock total: | 0 pcs |
| Fabricante de la marca: | DAMJ11N650D |
| Unidad:: | pcs |
| Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA |
MOSFET 650V / 11A, 0,38 ohm, TO-252
Información básica:
| Fabricante de la marca | DAMJ11N650D |
| Tipo de componente: | FET Tranzistor |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Configuración: | Single 1*(T-BD) |
| Especificación: | Enhancement Mode |
| Construcción: | 1*FET-BD |
| Número de circuitos | 1 ks |
| Tipo de caso: | SMD |
| Caso [inch] : | DPAK |
| Tipo de material: | Si-Silicon |
| RoHS | Sí |
| REACH | No |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
| Unidad: | pcs |
| Peso: | 0.36 [g] |
| Tipo de envase: | TUBE |
| Paquete pequeño (Número de unidades): | 50 |
Parámetros electrofísicos:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 650 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 6.7 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.4 [VDC] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 83 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 380 [mΩ] |
| tr (Turn-on / rise time) | 28 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 3 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 13 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 690 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
| Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
| Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
| Rthjc (case) | 1.5 [°C/W] |
| L - Longitud | 6.5 [mm] |
| W - Ancho | 2.3 [mm] |
| H - Altura | 6.1 [mm] |