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DCR 850G26

Phase Control Thyristor 2600V/850A

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DCR 850G26 Dynex Semiconductor
DCR 850G26 Dynex Semiconductor
DCR 850G26 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:167980
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 123,484992 €
Preis ohne MwSt. : 102,053712 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:1 Stück
Herstellerkennzeichnung: DCR850G26
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Phase Control Thyristor 2600V/850A

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDCR850G26 
Art der Komponente:Thyristor PCT 
KategorieThyristor Standard Disc 
Konfiguration:single TY 
Gehäusetyp:PUK 
Gehäuse [inch] :PUK 58/34x26T 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:275 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)850 [A]
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)850 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)1000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)200 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)605000 [A2s]
tf/tq (Turn-off / fall time)250000 [ns]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.035 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

D - Ø (Außendurchmesser)58 [mm]
H - Höhe 27 [mm]
Fmin:12000 [N]
Fmax:18000 [N]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:5STP08D2801 
Alternative Produkte 2:DCR1080G26 
Alternative Produkte 3:N0910LS260 
Alternative Produkte 4:CS411-23io1 
Alternative Produkte 5:5STP 09D2201 , TV 907-860-22 
nah_6T460N26TOF  , T660N26TOF  
nah_7ST300C20L0 , ST700C22L0 

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