DF451/12
| ID Code: | 148699 |
| Hersteller: | Dynex Semiconductor |
| Preis inkl. MwSt. : | 391,553794 € |
| Preis ohne MwSt. : | 323,598177 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | DF45112 |
| Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 323,598177 € | 391,553794 € | ||
| 3 + | 311,828809 € | 377,312859 € | ||
| 6 + | 279,453140 € | 338,138299 € | ||
| 12 + | 250,049534 € | 302,559936 € |
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | DF45112 |
| Art der Komponente: | Diode Fast |
| Kategorie | Diode Fast Disc |
| Konfiguration: | single (1D) |
| Gehäusetyp: | PUK |
| Gehäuse [inch] : | PUK 42/19x14 |
| Art des Materials: | Si-Silicon |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 60 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 12 |
Elektrophysikalische Parameter:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 295 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=60÷69°C) | 295 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.65 [VDC] ? Testbedingungen: |
| IR (Rückstrom) | 100000 [µA] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 61250 [A2s] |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 1220 [ns] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -55 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.07 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
| D - Ø (Außendurchmesser) | 42 [mm] |
| H - Höhe | 14 [mm] |
| Fmin: | 4500 [N] |
| Fmax: | 5500 [N] |