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DIM 125PHM33-TS000

SPT IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, low switching loss

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DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:185401
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 527,8961 €
Prix hors TVA : 436,2778 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM125PHM33-TS000
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Stockage externe (délai de livraison 5÷10 jours): 0 pcs
Unité:: pcs
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QuantitéPrix hors TVAPrix avec TVA
1 + 436,2778 €527,8961 €
3 + 425,3787 €514,7082 €
6 + 403,5412 €488,2849 €
12 + 370,8440 €448,7212 €
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.

Informations de base :

Marquage fabricantDIM125PHM33-TS000 
Type of casing:MODUL 
Cas:MODUL - P 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:!_half bridge_! 
Type de matériel:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:500 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)125 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)[1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1300  [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)520 [ns]
tf (turn-off=fall time)610 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.001 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)2500 [nC]
Cin/CL Load Capacitance22500 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)0.096 [°C/W]
PIN dimensions0.00 [mm]

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