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DIM 125PHM33-TS000

SPT IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, low switching loss

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DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:185401
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 529,772162 €
Prix hors TVA : 437,828233 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM125PHM33-TS000
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 437,828233 €529,772162 €
3 + 426,890424 €516,537413 €
6 + 404,975321 €490,020138 €
12 + 372,161895 €450,315893 €
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.

Informations de base :

Marquage fabricantDIM125PHM33-TS000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Construction:2*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MODUL-P 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:700 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)125 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)5000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1300  [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
tr (Turn-on / rise time)520 [ns]
tf (turn-off=fall time)610 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2500 [nC]
Cin/CL Load Capacitance22500 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:140x73x38 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)0.096 [°C/W]
L - Longueur 140 [mm]
W - Largeur 73 [mm]
H - Hauteur 38 [mm]

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