IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.
Informations de base :
Marquage fabricant | DIM125PHM33-TS000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construction: | 2*(IGBT+D) |
Nombre de circuits | 2 ks |
Type de matériel: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
Type of casing: | MODUL |
Cas: | MODUL - P |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 700 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 4 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 3300 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 125 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 125 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 5 [1000*A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1300 [W] |
Esw (125°C) | 1200 [mJ] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
tr (Turn-on / rise time) | 520 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 610 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 2500 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 22500 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.096 [°C/W] |
W - Largeur | 73 [mm] |
L - Longueur | 140 [mm] |
H - Hauteur | 38 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 140x73x38 [mm] |