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DIM1200ASM45-TF000

IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC

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DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor
DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor
DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:182767
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 1 618,067180 €
Prix hors TVA : 1 337,245604 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM1200ASM45-TF000
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 1 337,245604 €1 618,067181 €
3 + 1 303,813476 €1 577,614306 €
6 + 1 236,949220 €1 496,708556 €
12 + 1 136,652835 €1 375,349930 €
IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC

Informations de base :

Marquage fabricantDIM1200ASM45-TF000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single-E3*(T+D) 
Construction:3*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 3 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MODUL-A 
Type de matériel:Base AlSiC 
Matériel: BoîtierSi-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:2010.2 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)7400 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)3.5 [V]
I2t (TC/TA=25°C)460000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)12500  [W]
tr (Turn-on / rise time)290 [ns]
tf (turn-off=fall time)400 [ns]
Qg (Total Gate Charge)17000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance150000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:190x140x48 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)0.008 [°C/W]
L - Longueur 190 [mm]
W - Largeur 140 [mm]
H - Hauteur 48 [mm]

Alternatives et remplacements

Produits de substitution 1:CM1200HC-90R 

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