100V 190A/25°C 130A/100°C ,
Información básica:
Fabricante de la marca | VS-FB190SA10 |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configuración: | Single 1*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 1*FET-BD |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SOT-227 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 36 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 10 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 100 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 130 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 568 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 5.4 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 300 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 250 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 10700 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.22 [°C/W] |
RM - Ráster | 15 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 12.7 [mm] |
D - Diámetro externo | 4.1 [mm] |
L - Longitud | 38.1 [mm] |
W - Ancho | 25.3 [mm] |
H - Altura | 12 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Alternativa 1: | 135745 - FB180SA10P (VIS) |
Productos alternativos 1: | STE250NS10, |
Productos alternativos 2: | IXTN200N10T |