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FDB8832

Trans MOSFET N-CH 30V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB8832 ON Semiconductor (Farchild)
FDB8832 ON Semiconductor (Farchild)
FDB8832 ON Semiconductor (Farchild)
FDB8832 ON Semiconductor (Farchild)
pcs
ID Code:135748
Fabricante:ON Semiconductor (Farchild)
Precio con IVA : 3,105627 €
Precio sin IVA : 2,566634 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: FDB8832
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 2,566634 €3,105627 €
80 + 2,246792 €2,718618 €
200 + 2,021718 €2,446279 €
400 + 1,907206 €2,307719 €
30V 80A 2.1mO , Rthjc=0.5°C/W

Información básica:

Fabricante de la marcaFDB8832 
Tipo de componente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configuración:Single 1*(T-BD) 
Especificación:Enhancement Mode 
Construcción:1*FET-BD 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de caso:SMD 
Caso [inch] :D2-PAK 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:4.8 [g]
Tipo de envase:K33D 
Paquete pequeño (Número de unidades):800 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 30 [V]
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)80 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)300  [W]
Input Logic Level (Ugs level)5V 
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)1.5 [mΩ]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)1.4 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)59 [ns]
Qg (Total Gate Charge)100 [nC]
Cin/CL Load Capacitance11400 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:D2-PAK 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc (case)0.5 [°C/W]
Rthja (ambient)62 [°C/W]
RM - Ráster2.54 [mm]
RM1 - Espaciado de filas 5.08 [mm]
L - Longitud 8.7 [mm]
W - Ancho 10 [mm]
H - Altura 4.4 [mm]
PIN dimensiones0,85x0,55 [mm]
Lv - Length of outlets2.6 [mm]

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