2x-12V 2x-700mA/25°C 300mO SC70-6 , 300mW/Ta25°C Rthja=415°C/W
Informations de base :
Marquage fabricant | FDG6316P |
Type de composant: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Configuration: | Single 2*(T-BD) |
Spécifications: | Enhancement Mode |
Construction: | 2*FET-BD |
Nombre de circuits | 2 ks |
Type de cas: | SMD |
Cas [inch] : | SOT-223/6 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Type d’emballage: | K18A |
Petit paquet (nombre d'unités): | 3000 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -12 [V] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 0.3 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 3V |
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V) | 360 [mΩ] |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 270 [mΩ] |
Qg (Total Gate Charge) | 1.7 [nC] |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | SOT-223/6 |
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 415 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 1.27 [mm] |
RM1 - Espacement de lignes | 7 [mm] |
L - Longueur | 6.5 [mm] |
W - Largeur | 3.5 [mm] |
H - Hauteur | 1.8 [mm] |
PIN dimensions | 0,46x0,28 [mm] |
Lv - Length of outlets | 1.04 [mm] |
Alternatives et remplacements
Produits de substitution 1: | Si1965DH &VI |