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FDG6316P

2x-12V 2x-700mA/25°C 300mO SC70-6 , 300mW/Ta25°C Rthja=415°C/W

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FDG6316P ON Semiconductor (Farchild)
FDG6316P ON Semiconductor (Farchild)
FDG6316P ON Semiconductor (Farchild)
pcs
ID Code:132602
Fabricant:ON Semiconductor (Farchild)
Prix avec TVA : 0,279562 €
Prix hors TVA : 0,231043 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: FDG6316P
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 0,231043 €0,279562 €
125 + 0,213270 €0,258057 €
400 + 0,203397 €0,246110 €
750 + 0,195498 €0,236553 €
2x-12V 2x-700mA/25°C 300mO SC70-6 , 300mW/Ta25°C Rthja=415°C/W

Informations de base :

Marquage fabricantFDG6316P 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configuration:Single 2*(T-BD) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:2*FET-BD 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :SOT-223/6 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Type d’emballage:K18A 
Petit paquet (nombre d'unités):3000 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -12 [V]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)0.3 [W]
Input Logic Level (Ugs level)3V 
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V)360 [mΩ]
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)270 [mΩ]
Qg (Total Gate Charge)1.7 [nC]

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:SOT-223/6 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthja (ambient)415 [°C/W]
RM - Pitch pins1.27 [mm]
RM1 - Espacement de lignes [mm]
L - Longueur 6.5 [mm]
W - Largeur 3.5 [mm]
H - Hauteur 1.8 [mm]
PIN dimensions0,46x0,28 [mm]
Lv - Length of outlets1.04 [mm]

Alternatives et remplacements

Produits de substitution 1:Si1965DH &VI 

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