IGBT 1200V / 1200A Single
Informations de base :
Marquage fabricant | DIM1200FSM12-A000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuration: | single-E2*(T+D) |
Construction: | 2*(IGBT+D) |
Nombre de circuits | 2 ks |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | MODUL-F |
Type de matériel: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 1262 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 2 |
Paramètres électro-physiques:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 1200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.9 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 400000 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 10400 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 200 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 180 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 12000 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 135000 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 130x140x38 |
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.012 [°C/W] |
L - Longueur | 130 [mm] |
W - Largeur | 140 [mm] |
H - Hauteur | 38 [mm] |