-100V -40A/25°C -29A/100° 60mO ,200W/25°C Rthjc=0,75°C/W
Informations de base :
Marquage fabricant | IRF5210STRLPBF |
Type de composant: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Configuration: | Single 1*(T-BD) |
Spécifications: | Enhancement Mode |
Construction: | 1*FET-BD |
Nombre de circuits | 1 ks |
Type de cas: | SMD |
Cas [inch] : | D2-PAK |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 4.8 [g] |
Type d’emballage: | K33D |
Petit paquet (nombre d'unités): | 800 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -100 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | -29 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 200 [W] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 3.8 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 60 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 170 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 180 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 2700 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | D2-PAK |
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.75 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.54 [mm] |
RM1 - Espacement de lignes | 5.08 [mm] |
L - Longueur | 8.7 [mm] |
W - Largeur | 10 [mm] |
H - Hauteur | 4.4 [mm] |
PIN dimensions | 0,85x0,55 [mm] |
Lv - Length of outlets | 2.6 [mm] |
Alternatives et remplacements
Alternative 1: | 129761 - IRF5210S (INF) |
Alternative 2: | 186206 - IRF5210STRRPBF (INF) |