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IRF5210STRLPBF

Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IRF5210STRLPBF Infineon Technologies
IRF5210STRLPBF Infineon Technologies
IRF5210STRLPBF Infineon Technologies
IRF5210STRLPBF Infineon Technologies
pcs
ID Code:155248
Fabricant:Infineon Technologies
Prix avec TVA : 3,299348 €
Prix hors TVA : 2,726734 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: IRF5210STRLPBF
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 2,726734 €3,299348 €
80 + 2,604228 €3,151116 €
200 + 2,378976 €2,878561 €
400 + 2,149773 €2,601225 €
-100V -40A/25°C -29A/100° 60mO ,200W/25°C Rthjc=0,75°C/W

Informations de base :

Marquage fabricantIRF5210STRLPBF 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configuration:Single 1*(T-BD) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:1*FET-BD 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :D2-PAK 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:4.8 [g]
Type d’emballage:K33D 
Petit paquet (nombre d'unités):800 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -100 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)-29 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)200  [W]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)3.8 [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)60 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)170 [ns]
Qg (Total Gate Charge)180 [nC]
Cin/CL Load Capacitance2700 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:D2-PAK 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc (case)0.75 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]
RM - Pitch pins2.54 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 5.08 [mm]
L - Longueur 8.7 [mm]
W - Largeur 10 [mm]
H - Hauteur 4.4 [mm]
PIN dimensions0,85x0,55 [mm]
Lv - Length of outlets2.6 [mm]

Alternatives et remplacements

Alternative 1:129761 - IRF5210S (INF) 
Alternative 2:186206 - IRF5210STRRPBF (INF) 

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