-55V -31A/25°C -22A/100°C 60mO , 110W/25°C Rthjc=1.4°C/W
Informations de base :
Marquage fabricant | IRF5305LPBF |
Type de composant: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Configuration: | Single 1*(T-BD) |
Spécifications: | Enhancement Mode |
Construction: | 1*FET-BD |
Nombre de circuits | 1 ks |
Type de cas: | THT |
Cas [inch] : | TO-262 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 0.09 [g] |
Type d’emballage: | TUBE |
Petit paquet (nombre d'unités): | 50 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -55 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | -22 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 110 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 60 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 71 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 63 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1200 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 1.4 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
Number of Pins | 3 |