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IRF5305L

-55V -31A/25°C -22A/100°C 60mO , 110W/25°C Rthjc=1.4°C/W

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IRF5305L Infineon Technologies
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ID Code:129762
Fabricant:Infineon Technologies
Prix: sur demande
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: IRF5305LPBF
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
-55V -31A/25°C -22A/100°C 60mO , 110W/25°C Rthjc=1.4°C/W

Informations de base :

Marquage fabricantIRF5305LPBF 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configuration:Single 1*(T-BD) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:1*FET-BD 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:THT 
Cas [inch] :TO-262 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:0.09 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):50 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -55 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)-22 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)110  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)60 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)71 [ns]
Qg (Total Gate Charge)63 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1200 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc (case)1.4 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]
Number of Pins

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