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IRF7335D1

30V 2x10A/25° 8.1A/70° 13.4mO +12V *L , 2W Rthja=62.5°C/W dual SO1

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IRF7335D1 Infineon Technologies
IRF7335D1 Infineon Technologies
IRF7335D1 Infineon Technologies
pcs
ID Code:145576
Fabricant:Infineon Technologies
Prix avec TVA : 2,914511 €
Prix hors TVA : 2,408687 €
VAT:21 %
Disponibilité:En stock
Stock total:309 pcs
Marquage fabricant: IRF7335D1
Entrepôt central Zdice: 309 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 2,408687 €2,914511 €
6 + 2,167818 €2,623060 €
11 + 2,049358 €2,479723 €
28 + 1,926950 €2,331610 €
30V 2x10A/25° 8.1A/70° 13.4mO +12V *L , 2W Rthja=62.5°C/W dual SO1

Informations de base :

Marquage fabricantIRF7335D1 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET+Diode (FETKY) 
Configuration:Half Bridge 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:2*FET-BD+1*D 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :SO-14 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSNon 
REACHNon 
NOVINKA

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:0.3 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):55 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 30 [V]
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)10 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)8.1 [A]
UF (maximum forward voltage)[VDC]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)999999 [V/µs]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)2 [W]
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)13.4 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)31 [ns]
Qg (Total Gate Charge)13 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1500 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:SO- 14 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthja (ambient)62.5 [°C/W]
RM - Pitch pins1.27 [mm]
RM1 - Espacement de lignes [mm]
L - Longueur 8.65 [mm]
W - Largeur 3.9 [mm]
H - Hauteur 1.75 [mm]
PIN dimensions0,41x0,25 [mm]
Lv - Length of outlets[mm]

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