Low side 50V 200mO limit=1.8/4/6A ,
Informations de base :
Marquage fabricant | IRSF3031 |
Type de composant: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET Smart |
Configuration: | Single 1*(T-BD) |
Spécifications: | Enhancement Mode |
Construction: | 1*FET-BD |
Nombre de circuits | 1 ks |
Type de cas: | THT |
Cas [inch] : | TO-220AB |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Non |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 2.4 [g] |
Type d’emballage: | TUBE |
Petit paquet (nombre d'unités): | 50 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 50.0 [V] |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 4 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 30 [W] |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 200 [mΩ] |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | TO-220 |
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 4 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 60 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.5 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Longueur | 15 [mm] |
L1 - Longueur | 6.5 [mm] |
W - Largeur | 10 [mm] |
H - Hauteur | 4 [mm] |
PIN dimensions | 1 [mm] |
Lv - Length of outlets | 12.7 [mm] |