100V 8A/50°C 0.75V/5A/25° , Rtha<14°C/W f8x7.5mm
Informations de base :
Marquage fabricant | SB8100 |
Type de composant: | Diode Schottky Silicon |
Kategorie | Diode Schottky Axial |
Configuration: | single (1D) |
Nombre de circuits | 1 ks |
Type de cas: | THT |
Cas [inch] : | D-8.0x7.5 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 2.06 [g] |
Type d’emballage: | AMMO |
Petit paquet (nombre d'unités): | 1250 |
Paramètres électro-physiques:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 8 [A] |
Idc max (Tc/Ta=50÷59°C) | 8 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 0.83 [VDC] |
IR (reverse current) | 500 [µA] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
I2t (TC/TA=25°C) | 132 [A2s] |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | D=8.00x7.50 |
Tmin (température minimale de travail) | -50 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 19 [°C/W] |
Number of Pins | 2 |
D - Diamètre extérieur | 8 [mm] |
L - Longueur | 7.5 [mm] |
PIN dimensions | d=1,20 [mm] |
Lv - Length of outlets | 27.5 [mm] |