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BSM25GB120DN2

IGBT 1200V

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BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
pcs
ID Code:169132
Fabricant:Infineon Technologies
Prix avec TVA : 94,252127 €
Prix hors TVA : 77,894320 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: BSM25GB120DN2
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 77,894320 €94,252127 €
3 + 76,073620 €92,049080 €
5 + 75,163269 €90,947555 €
10 + 74,213339 €89,798140 €
IGBT 1200V

Informations de base :

Marquage fabricantBSM25GB120DN2 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Construction:2*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SEMITRANS-2 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:0.09 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):10 

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)38 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)25 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)200  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)130 [ns]
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf (turn-off=fall time)50 [ns]
Cin/CL Load Capacitance1650 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)0.6 [°C/W]
L - Longueur 94 [mm]
W - Largeur 34 [mm]
H - Hauteur 30 [mm]

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