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DIM 750ASM65-TS000

IGBT Module 6500V/750A Single, AlSiC ,

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DIM 750ASM65-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 750ASM65-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 750ASM65-TS000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:170494
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 1 517,460976 €
Prix hors TVA : 1 254,099980 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM750ASM65-TS000
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 1 254,099980 €1 517,460976 €
3 + 1 222,762300 €1 479,542383 €
6 + 1 160,047421 €1 403,657379 €
12 + 1 065,994863 €1 289,853784 €
IGBT Module 6500V/750A Single, AlSiC ,

Informations de base :

Marquage fabricantDIM750ASM65-TS000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single-E3*(T+D) 
Construction:3*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 3 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MODUL-A 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:2010.2 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)750 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)750 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)3.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)400000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)11100  [W]
tr (Turn-on / rise time)340 [ns]
tf (turn-off=fall time)450 [ns]
Qg (Total Gate Charge)10000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance120000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:190x140x48 
Tmin (température minimale de travail)125 [°C]
Tmax (température maximale de service)-40 [°C]
Rthjc (case)0.009 [°C/W]
L - Longueur 190 [mm]
W - Largeur 140 [mm]
H - Hauteur 48 [mm]

Alternatives et remplacements

Produits de substitution 1:FZ750R65KE3 
Produits de substitution 2:CM750HG-130R 

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