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DIM 800DCM12-A000

IGBT Chopper Module 1200V / 800A

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DIM 800DCM12-A000 Dynex Semiconductor
DIM 800DCM12-A000 Dynex Semiconductor
DIM 800DCM12-A000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:171574
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 804,084568 €
Prix hors TVA : 664,532701 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM800DCM12-A000
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 664,532701 €804,084568 €
3 + 647,935191 €784,001581 €
6 + 614,700652 €743,787789 €
12 + 564,868603 €683,491010 €
IGBT Chopper Module 1200V / 800A

Informations de base :

Marquage fabricantDIM800DCM12-A000 
Type de composant:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single 1*(T+D)+D(Chopper) 
Construction:1*(IGBT+D)+D 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MODUL-D 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:1185.5 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)800 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.1 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)100000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)6940  [W]
tr (Turn-on / rise time)250 [ns]
tf (turn-off=fall time)170 [ns]
Qg (Total Gate Charge)9000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance90000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:130x140x38 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)0.018 [°C/W]
L - Longueur 130 [mm]
W - Largeur 140 [mm]
H - Hauteur 38 [mm]

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