Fast Recovery Epitaxial Diode ,
Informations de base :
Marquage fabricant | MEE250-12DA |
Type de composant: | Diode Fast |
Kategorie | Diode Fast Module |
Configuration: | serie 2D |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | Y4-M6 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 219.23 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 6 |
Paramètres électro-physiques:
If (AV) per pkg. | 260 [A] |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 260 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 260 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.38 [VDC] |
IR (reverse current) | 12000 [µA] |
I2t (TC/TA=25°C) | 28800 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 875 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 450 [ns] |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 94x35x30 |
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.143 [°C/W] |
L - Longueur | 94 [mm] |
W - Largeur | 35 [mm] |
H - Hauteur | 30 [mm] |