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BSM50GB170DN2

IGBT 1700V

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BSM50GB170DN2 Infineon Technologies
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ID Code:178104
Fabricant:Infineon Technologies
Prix: sur demande
VAT:21 %
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: BSM50GB170DN2HOSA1
Unité:: pcs
IGBT 1700V

Informations de base :

Marquage fabricantBSM50GB170DN2HOSA1 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Construction:2*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SEMITRANS-2s 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:0.09 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):
Grand paquet (BOX):10 

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)72 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)3.4 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)500  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)300 [ns]
tr (Turn-on / rise time)150 [ns]
tf (turn-off=fall time)90 [ns]
Cin/CL Load Capacitance8000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)0.25 [°C/W]
L - Longueur 94 [mm]
W - Largeur 34 [mm]
H - Hauteur 30 [mm]

Alternatives et remplacements

Alternative 1:171351 - SKM 75GB17E4 &SK (SMK) 

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