Gate Drivers Sngl Ch HiSide Drivr
Informations de base :
Marquage fabricant | VN5160S-E |
Type de composant: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET Smart - High Side |
Configuration: | High side |
Construction: | 1*Smart FET |
Nombre de circuits | 1 ks |
Type de cas: | SMD |
Cas [inch] : | SO- 8 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 0.7 [g] |
Petit paquet (nombre d'unités): | 2000 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 36.0 [V] |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 4.90*3.90*1.70 |
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
RM - Pitch pins | 1.27 [mm] |
RM1 - Espacement de lignes | 6 [mm] |
Number of Pins | 8 |
L - Longueur | 4.9 [mm] |
W - Largeur | 3.9 [mm] |
H - Hauteur | 1.7 [mm] |
PIN dimensions | 0,41x0,25 [mm] |
Lv - Length of outlets | 1.1 [mm] |