High Speed IGBT 1200V above 15kHz
Informations de base :
Marquage fabricant | SKM75GB12F4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construction: | 2*(IGBT+D) |
Nombre de circuits | 2 ks |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | SEMITRANS-2 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 160 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 8 |
Paramètres électro-physiques:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 103 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 79 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.42 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.41 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 425 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 4400 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.38 [°C/W] |
L - Longueur | 94 [mm] |
W - Largeur | 34 [mm] |
H - Hauteur | 30 [mm] |
Alternatives et remplacements
Produits de substitution 1: | SKM100GB125D |